么干的。
反而像我们这样的后来者，更加愿意在技术上冒险，倒也不是冒险，而是只有采用激进的技术路线才有可能实现反超，硅谷太多类似的例子了。”
胡正明说完后，周新有点理解为什么当年林本坚会在台积电和新芯之间选择新芯，因为新芯打算做光刻机，而台积电没有类似的计划。
只有做光刻机，才有机会切换到浸润式光刻机这一技术路线上去。
按照胡正明的说法，林本坚想走这一技术路线有接近二十年的时间，这是怎样的一种执念。
周新说：“我同样看好这一技术路线，我和林叔在这方面达成了一致，甚至我们连浸润式光刻机要采用哪种介质都有默契。”
胡正明说：“你支持他那就好，老实说不管是本坚还是老关，大家会来新芯，多少都是之前的职业生涯有点不得志。
老关是因为被合伙人给赶走的，你应该比较清楚，本坚和你沟通的没那么多，他又比较沉默寡言，除了聊技术能多说两句外，平时很少聊自己的事情。
我和本坚认识有大概十六年时间了，我还记得当时应该是八十年代年的事情，那时候开一个研讨会，本坚作为IBM的技术专家来做介绍，他的主题是未来芯片制造领域继续发展下去会遇到什么瓶颈。
当时芯片制造的制程还是一千纳米，哦没错，是87年的时候，然后本坚当时就提出了如何突破这些瓶颈，里面就包括浸润法。当时的办法有很多，没有人注意到他的方法。
有点讲远了，刚刚说本坚在IBM不得志，是因为他在IBM的时候做的是深紫外光，而那时候IBM的光学部门主要研究方向是X光，这也导致他其实并没有那么得志。
不然他也不会在五十岁的时候申请IBM的内部退休创业。
因此本坚一直认为芯片制程想要突破，光源是关键，现在的光源是深紫外光，而要想从深紫外光到极紫外光，浸润法是关键。”
不得不说林本坚的技术嗅觉极其敏锐，极紫外光是芯片制程进入到10nm下的关键技术，而如果继续采取干式光刻机，极紫外光导致的问题无法解决。
当新芯从周新到胡正明再到林本坚，这一条线的人都达成了共识要走浸润式光刻机路线时，新芯在光刻机领域的主要对手们都在朝157nm干式光刻机领域发起冲锋。
当前90nm制程靠的是193nm波长的干式光刻机，这一波长的光源极限就是65nm，几乎不可能再往下了
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