技自己进入芯片代工领域之后，180nm光刻机良品率增长非常快，进入到今年之后，新芯科技180nm的光刻机已经能和尼康、ASML同制程的光刻机有不相上下的良品率。
现在在做130nm光刻机的研究，周新在看新芯光刻机的半年工作报告的时候，在想要不要和林本坚聊关于湿法工艺的事。
湿法工艺是指浸没式光刻机技术，和之前的干式工艺相比，该工艺在光刻机投影物镜的最后一个透镜和光刻胶之间加了一层液体，这层液体能让光波频率更高，成像分辨率也得以提高。
湿法工艺是光刻机技术突破65nm的关键，现在的芯片工艺已经到了90nm，再想突破，靠干式工艺也行，只是要更久的时间。
当然湿法工艺也不是说加一层水那么简单，湿法工艺需要考虑到的问题有非常多，比如说浸入环境引起的气泡和污染、抗蚀剂与流体或面漆的相容性、折射指数大于1.65的流体粘度、吸收和流体循环要求等等。
这是一整套技术，失去林本坚这样的关键人物，光刻机技术往65nm研发的过程中进展缓慢。
湿法工艺没有被研究出来，全球进入65nm时代至少得晚两年时间，也就是说原本到2004年年底会进入到65nm制程，将被推迟到2006年，同时ASML也无法借助这一技术实现弯道超车。
光刻机领域依然是群雄逐鹿的状态，新芯光刻机有趁机偷鸡的机会。
这对新芯光刻机是利好，大家都不动的时候，就轮到新芯追赶了。
而新芯光刻机的半年报说了他们已经完成了130nm的光刻机研发，后续就是大量的实验以及进入生产环节提高良品率，这都是水磨工夫。
同样芯片制程无法进入65nm，对Matrix来说就没有那么友好了，Mphone将无法实现算力的进化，它和友商之间的差距也会被逐渐拉近。
而实现130nm制程的新芯光刻机一旦采取湿法工艺，它能以一个很短的速度跨越这道门槛，进入到78nm制程，相当于超越了所有光刻机厂商半代的差距。
但是一旦这道纱被掀开，其他光刻机厂商同样能够很快赶上。
周新回华国的最重要目的就是和林本坚讨论这件事，湿法工艺太关键，关键到周新不想通过邮件或者电话的方式，只能面谈。
(本章完)