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第一百三十二章 提前截胡台积电(4K)

作品:千禧年半导体生存指南作者:乌鸦一号
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“你怎么知道采用ArF技术会造成更多的线边波动和不规则性?

关于ArF技术路线,在IEEE的杂志上有,但是无论是尼康还是佳能的工程师发表在上面的论文,都只说了好处没有说缺陷。”林本坚惊讶地问。

周新说:“尼康和佳能为了误导竞争对手,故意不谈ArF技术路线的缺点。

为的就是让竞争对手也踩到这个坑里去。

他们已经投入了大笔研发经费到ArF技术路线,没有找到办法解决ArF光源带来的线边波动和不规则性问题,所以他们认为其他竞争对手也解决不了这个问题。”

林本坚默默点头:“没错。

就是这样。”

周新继续说:“在技术路线上误导竞争对手,这不是集成电路领域的常规操作吗?”

林本坚还是很好奇,他知道ArF技术路线的缺陷,是因为他从事这个领域的研究超过二十年,他有大量的人脉。

由于保密协议的缘故,他的朋友无法直接告诉他,只能通过暗示的方式,向他透露ArF技术路线有重大缺陷。

他对此也只是猜测,没有证据的猜测。

为什么周新能够说得如此笃定,并且把ArF技术路线的缺陷也说得如此清楚。

要知道有资格进行ArF技术路线实验的实验室,也就那几家光刻机公司。

周新战术喝水之后说:“林伯,我知道你在想什么,我是不是买通了尼康的技术人员,从他们那获得了技术机密。

实际上ArF技术路线的缺陷,这很容易就推理出来。

ArF光源的波长为193纳米,相较于KrF光源的248纳米波长更短。短波长光源在光刻过程中,显然会受到更严重的散射、衍射和光学近场效应的影响,导致图案传输过程中的线边波动和不规则性增加。

同时使用ArF光源的光刻技术用于更先进的制程节点中,这导致晶圆需要实现更高的分辨率。

随着尺寸的缩小,光刻过程中的图案边缘更容易受到光学近场效应、衍射和光刻胶吸收等因素的影响,从而导致线边波动和不规则性。

这是基于物理知识的推论。”

林本坚鼓掌,“精彩的推演和敏锐的洞察力。

当时正明和我说他从燕大找到了天才学生的时候,我还在想到底有多天才,让他那么得意。

你在这方面的天赋比我猜测的还要更出色。

…。。
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