专业这小王八蛋也都能插一手，这就让刘浏觉得眼角直抽搐了。
台上的卿云此刻总结到，“邹院，碳化硅材料有卓越的耐高电压、高频、高温特性，我觉得可以及早布置下去，让海军技术研究院的人提前参与进来。
这是我们最快也是最直接的终端用户，他们的需求是第一位的。”
那边被点名的邹院闻言也是喜笑颜开，“没问题，我立刻联系老张他们。
按照你的说法，碳化硅材料的禁带宽度为3.26eV，相较于硅的1.12eV，允许碳化硅器件在更高的温度下稳定运行，能保证我们的器件在承受高频的电磁攻击下不发生击穿，那么确实在军舰的电子仪器系统中将发挥巨大的作用。”
坐在另一边的大王先生王阳明也是颔首，“碳化硅具有2倍于硅的饱和电子漂移速率，导致其器件在关断过程中不产生电流拖尾现象，能够提高元件的开关速度，是硅开关速度的3-10倍。
这使得碳化硅在军舰的雷达系统、通信设备等需要高速切换的电子设备中表现出色。”
不过材料学泰斗严东升此时却皱起了眉头，“碳化硅好是好，但制备存在很大的难度。
生长速度慢，一周才能生长2厘米，材料晶型多样，存在超过200种相似的晶型，需要精确的材料配比、热场控制和经验积累，才能在高温下制备出无缺陷、皆为4H晶型的可用碳化硅衬底。
但是碳化硅衬底的表面特性不足以直接制造器件，需要在单晶衬底上额外沉积一层高质量的外延材料，并在外延层上制造各类器件。
外延层的质量对器件性能的影响非常大，而高压领域对缺陷的控制是非常大的挑战，而且后加工难度很大，碳化硅是硬度仅次于金刚石的材料，晶棒后续的切片、研磨、抛光等工艺的加工难度显著增加，我们国内缺乏这类的加工器材。
而且由于碳化硅扩散温度远高于硅，无法使用扩散工艺，只能采用高温离子注入的方式。
但高温离子注入后，材料原本的晶格结构被破坏，需要用高温退火工艺进行修复。碳化硅退火温度高达1600℃，这对设备和工艺控制都带来了极大的挑战。”
老头絮絮叨叨的说着，半响他叹了口气，“归根到底还是成本问题，我个人认为，小卿你太乐观了些，三五年内，它很难走出实验室。”
此话一出，全场也是议论纷纷，严东升的担忧引起了在场人士的广泛讨论。
云帝很是欣慰，现在的
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