站在“清北集成电路与芯片联合研发创新中心”的立场进行这样的问话是不合适的，不过他地位超然，现在作为“Q先生”也只是纯义务指导“芯片材料”团队而已，无论是对内还是对外都没在团队里挂名，更没任何经济利益往来。
杨承科自然也不会对最信任的秦克隐瞒什么，当下拿起办公桌上的报告，说道：
“他们研究的是‘石墨烯-碳纳米管异形结构技术’，简单来说就是石墨烯为主要原料，组成碳纳米管，并经过分布排列构成一个独特的T状异形结构晶体集成电路的技术。按他们的说法，导电性较传统的硅基芯片提升了53%，能耗减少30%，它还有一个最大的优势就是对于光刻机的制程工艺要求并不高，采用90nm工艺制备的碳基芯片，性能相当于28nm的硅基芯片；而采用28nm的碳基芯片则相当于7nm的硅基芯片。”
秦克微微点头，从字面的报告来看确实了不起，采用28nm的光刻机制出的碳基芯片就能达到目前全球主流先进光刻机做出的硅基芯片效果来，就算放到国际上都算相当先进了。
尤其是目前夏国虽说攻克了14nm制程的FinFET技术，并保证了高质量的产品输出，但在光刻机方面，夏国数量较多的是28nm制程的光刻机，14nm制程的光刻机依然非常紧缺，目前国内芯片厂商主要发力的方向还是28nm制程。
可以说南大的这个报告与前景展望，非常贴合夏国的现状，极具吸引力。
其实以碳纳米管为突破，研发碳基芯片也是目前世界比较热门的方向。因为碳基芯片的载流子迁移率更高，更加适合高速运算，而且具有更好的热传导性能、更轻质等优点。碳基芯片还有个优点，就是可以通过化学方法制备出来，生产成本比硅基芯片低。
全世界里相关的研究团队没有一千也有八百个，“芯片材料团队”一直以来钻研的“碳纳米管场效应晶体管技术方向”，就属于其中一个分支。只是目前取得显著进展的，还是国外的那两三家顶级芯片大厂。
当然，在秦克眼里，碳基芯片并不是在非量子时代的最好选择，“碳晶复合纳米材料”制成的芯片才是最优解。同样是28nm的“碳晶复合纳米材料”芯片能轻松吊打2nm的硅基芯片，媲美只在传闻中1nm的硅基芯片。碳基芯片在“碳晶复合纳米材料”芯片面前，毫无性价比可言。
不过秦克还是很好奇国内的芯片材料技术水平到哪个层次了，便问道：“那他们有说多久能研究出28nm
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